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半導體製造設備晶圓載台清潔方案
Chuck Clean Wafer（CCW）
Chuck Clean Wafer（CCW）是一款應用於半導體製造設備的 晶圓載台（Wafer Chuck）與 Stage 表面清潔晶圓， 主要用於移除載台表面的 Particle、微小異物及污染物。
CCW可透過設備既有的自動晶圓搬送流程進入製程腔體， 在不需大幅拆卸設備的情況下進行 Chuck 表面清潔， 協助維持設備與製程環境的潔淨度及穩定性。
CCW 清潔原理
CCW以矽晶圓（Silicon Wafer）為基材， 於晶圓表面形成專用的高分子聚合物薄膜。
當CCW透過設備自動搬送至Wafer Chuck時， 利用高分子薄膜本身的黏著性與吸附力， 接觸並捕捉附著於Chuck表面的微粒與微小異物。 完成清潔後，CCW再由設備自動取出， 達到晶圓載台表面清潔的效果。
主要應用範圍
・半導體製造設備 Wafer Chuck／Stage 清潔
・Particle 微粒與微小異物去除
・CVD 製程設備
・PVD 製程設備
・ETCH 蝕刻製程設備
・PHOTO／LITHO 黃光微影製程設備
・PROBER 晶圓測試設備
・150 mm／200 mm／300 mm 等不同晶圓尺寸應用
※ 實際適用情況將依設備型號、Chuck結構、製程條件、使用溫度及晶圓尺寸等條件而有所不同，詳細規格與適用性請洽KJT。
Chuck Clean Wafer（CCW）產品特色・導入效益
半導體製造設備在長時間量產運轉後， Wafer Chuck／Stage表面可能累積Particle、微小異物與污染物， 進而影響晶圓吸附、搬送、定位及製程穩定性。 CCW可利用設備既有的自動搬送流程進行Chuck表面清潔， 協助降低人工維護負擔，並提升設備清潔與保養效率。
01｜降低人工清潔作業
透過CCW配合設備自動搬送， 可降低傳統開啟Chamber後以無塵布進行人工擦拭的清潔作業需求， 減少人員進行設備內部維護的時間與作業負擔。
02｜縮短設備維護與清潔時間
CCW可透過設備既有Wafer搬送流程執行Chuck清潔， 減少部分需開啟Chamber、拆卸及恢復設備的維護程序， 有助於縮短清潔與保養所需時間。
03｜降低Particle與微小異物影響
CCW利用表面高分子聚合物層的黏著與吸附特性， 捕捉Wafer Chuck表面的Particle與微小異物， 協助維持晶圓接觸面與設備內部環境的潔淨度。
04｜支援多種半導體製程
CCW可應用於CVD、PVD、ETCH、PHOTO／LITHO、PROBER等半導體製造與測試設備， 並可依不同裝置型號、Chuck結構及製程條件進行適用性評估。
05｜支援不同晶圓尺寸與設備條件
可依150 mm、200 mm、300 mm等不同晶圓尺寸與設備規格進行評估， 並依使用溫度、製程條件與Chuck型式選擇適合的CCW規格。
導入CCW可期待的效益
・降低Wafer Chuck人工清潔作業
・減少Chamber開啟與拆卸清潔需求
・縮短設備維護與保養時間
・降低Particle與微小異物對製程的影響
・提升設備保養流程效率
・支援預防保養與量產設備定期清潔
適合導入CCW的情況
・Wafer Chuck表面容易累積Particle或微小異物
・設備需頻繁停機進行Chuck人工清潔
・Chamber開啟與恢復作業耗時
・希望降低設備內部人工清潔頻率
・希望建立定期Chuck清潔與預防保養流程
※ 實際導入效益與使用方式將依設備型號、Chuck結構、製程條件、使用溫度及維護方式而有所不同，詳細適用性請洽KJT。
Chuck Clean Wafer（CCW）對應設備・使用實績
Chuck Clean Wafer（CCW）可應用於CVD、PVD、ETCH、PHOTO／LITHO等多種半導體製程設備， 主要用於Wafer Chuck與Stage表面的Particle及微小異物清潔。 目前已有150 mm、200 mm及300 mm設備使用實績， 可依設備型號、Chuck結構與製程條件評估適用規格。
主要使用設備實績
以下為Chuck Clean Wafer（CCW）目前主要使用設備實績。
| 晶圓尺寸 | 製程 | 設備／機種實績 |
|---|---|---|
| 150 mm | LITHO | CANON |
| 200 mm | PVD | AMAT ENDURA |
| 200 mm | ETCH | TEL UNITY |
| 300 mm | PVD | AMAT ENDURA |
| 300 mm | ETCH | LAM KIYO |
| 300 mm | LITHO | ASML |
| 300 mm | CVD | AMAT Producer SE |
| 300 mm | CVD | TEL Trias |
主要應用製程
・CVD 化學氣相沉積
・PVD 物理氣相沉積
・ETCH 蝕刻製程
・PHOTO／LITHO 黃光微影製程
・PROBER 晶圓測試設備
主要對應／使用實績品牌
AMAT / ASML / Nikon / Hitachi / Mattson / Canon / TEL / LAM
適合評估導入CCW的設備問題
・Wafer Chuck表面出現Particle或微小異物
・設備需頻繁停機進行Chuck清潔
・Chamber開啟、拆卸及恢復作業耗時
・希望降低人工清潔頻率與維護工時
・CVD / PVD / ETCH / PHOTO設備需建立定期Chuck清潔流程
・希望改善設備維護效率與製程穩定性
其他設備亦可評估
除上述使用實績外，其他設備品牌、機種及晶圓尺寸亦可依實際條件進行適用性評估。 如需確認CCW是否適用於現有設備，請提供設備品牌、設備型號、製程、晶圓尺寸及使用條件，KJT將協助確認。
※ 上述品牌及設備名稱為使用／對應實績範例，不代表原設備製造商之推薦或認證。實際適用性需依設備型號、Chuck結構、製程條件及使用溫度等資訊進行確認。
Chuck Clean Wafer（CCW）產品選型・聯絡我們
若您的半導體製造設備有Wafer Chuck表面Particle、微小異物、 清潔維護時間過長，或希望降低Chamber開啟與人工清潔頻率等需求， 歡迎與KJT聯絡。
KJT可依據設備品牌、機種、晶圓尺寸、製程條件及Chuck結構等資訊， 協助評估適合的Chuck Clean Wafer（CCW）規格與使用方式。
詢價／選型時建議提供以下資訊
01｜設備品牌
例如：AMAT、TEL、LAM、ASML、Canon等
02｜設備型號
請提供目前使用中的設備Model或完整機種名稱
03｜使用製程
CVD / PVD / ETCH / PHOTO / LITHO / PROBER等
04｜晶圓尺寸
150 mm / 200 mm / 300 mm 或其他尺寸
05｜Wafer Chuck／Stage資訊
如有Chuck照片、尺寸、材質或結構資料，建議一併提供
06｜目前遇到的問題
例如：Particle、微小異物、清潔頻率過高、人工清潔時間過長等
07｜製程與使用條件
如使用溫度、清潔頻率、設備運轉條件等
CCW產品選型流程
| STEP 1 | 提供設備品牌、型號、製程及晶圓尺寸 |
| STEP 2 | 確認Wafer Chuck結構及實際使用條件 |
| STEP 3 | KJT評估CCW適用性及建議規格 |
| STEP 4 | 提供產品與後續導入評估 |
有以下需求，歡迎洽詢KJT
・Wafer Chuck表面Particle或異物清潔
・CVD / PVD / ETCH設備Chuck清潔
・PHOTO / LITHO設備Stage清潔
・150 mm / 200 mm / 300 mm設備CCW選型
・希望降低Chamber開啟清潔頻率
・希望減少設備人工清潔與維護時間
・現有機種不在實績列表中，希望確認是否可使用
正在尋找半導體設備Wafer Chuck清潔方案？
請將設備品牌、型號、製程與晶圓尺寸提供給KJT，
我們將協助您確認Chuck Clean Wafer（CCW）的適用性。
※ 實際適用規格與使用方式將依設備型號、Chuck結構、製程條件、使用溫度及現場需求進行評估。
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