AlN 氮化鋁|高導熱陶瓷基板材料
氮化鋁因具有優異的導熱性能、良好的電氣絕緣性及與矽材料相近的熱膨脹係數,是高功率電子與半導體應用中重要的高導熱先進陶瓷材料之一。 AlN 陶瓷基板廣泛應用於 DPC(Direct Plated Copper)、DBC(Direct Bonded Copper)及 AMB(Active Metal Brazing) 等陶瓷電路板製程,可滿足高散熱、高功率、高可靠度及高頻電子產品的設計需求。
氮化鋁因具有優異的導熱性能、良好的電氣絕緣性及與矽材料相近的熱膨脹係數,是高功率電子與半導體應用中重要的高導熱先進陶瓷材料之一。 AlN 陶瓷基板廣泛應用於 DPC(Direct Plated Copper)、DBC(Direct Bonded Copper)及 AMB(Active Metal Brazing) 等陶瓷電路板製程,可滿足高散熱、高功率、高可靠度及高頻電子產品的設計需求。
96% 氧化鋁(Al₂O₃)是電子產業廣泛使用的陶瓷基板材料之一,兼具良好的電氣絕緣性、機械強度、耐化學性與成本效益,具有成熟的材料特性與製造技術,適合一般電子元件、中低功率應用及大量生產的陶瓷基板產品。 96% 氧化鋁陶瓷基板可應用於厚膜印刷(Thick Film Printing)及 DPC(Direct Plated Copper)等陶瓷電路板製程,並可依產品尺寸、厚度、金屬化方式及設計需求,應用於特定規格的 DBC(Direct Bonded Copper)陶瓷基板。
氮化矽(Si₃N₄)具有高機械強度、高斷裂韌性、優異的耐熱震性及良好的熱循環可靠度,是高功率密度與高可靠度功率電子應用的重要先進陶瓷材料。相較於一般陶瓷材料,Si₃N₄ 在反覆熱循環、機械應力及嚴苛工作環境下具有良好的結構穩定性,因此適合用於對機械強度與長期可靠度要求較高的功率模組。 Si₃N₄ 陶瓷基板主要應用於 AMB(Active Metal Brazing)等金屬化製程,特別適合電動車功率模組、SiC/GaN 寬能隙半導體功率模組、再生能源及工業電力電子等高可靠度應用。
機械設備零件加工
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